4. The manufacturing method of a semiconductor device according to claim 1, wherein said step of forming the conductive base structure comprises the steps of:
forming a conductive film over the conductive plug;
Forming an interlayer insulating film with the conductive plug formed therein; and
flattening a top surface of the conductive film.
【請求項4】
導電性の塩基の構造を形成する前記工程が導電プラグについて導電フィルムを形成する工程と、
そこに形成された伝導性のプラグを備えたフィルムを絶縁する中間の層を形成する工程と、
導電フィルムの頂部表面を平らにする工程と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法。
・・・・・ロゼッタの「熟考」を導入して以来、一般的には、 まず全体を邦文体にまとめ、すべてを「熟考」の「全文翻訳」で 下訳することで、翻訳作業および訂正作業がすこぶる効率的となり、 早期期間（ほぼ１日）に目的資料を作成することができるように なりました。・・・・・
※特許請求項などの段落単位の翻訳は別途試訳を承ります。こちらからご依頼ください。
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2009.04.23 お客様のご要望にお応えし「不要改行の自動削除」に対応しました。
2009.04.11 『熟考 Ver2.7』リリース 販売開始しました。
2009.02.25 3月のセミナー日程、4月のイベント日程をアップしました。
2008.12.11 お客様のご要望にお応えし「訳文修正機能」を追加しました。
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2008.09.01 『熟考 Ver2.5』リリース 販売開始しました。
2008.07.01 翻訳業界最大手「翻訳センター」との資本業務提携について
2008.04.22 お客様のご要望にお応えし「パワーポイント翻訳機能」を追加しました。プレスリリース
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2008.02.27 メルク株式会社様からいただいたご感想をアップしました。お客様の声
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